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Temperaturanstieg durch kontaktlose Diodenlaser-Bestrahlung von Implantatioberflächen
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Geminiani A, Caton JG, Romanos GE
Division of Periodontology, Eastman Institute for Oral Health, University of Rochester, Rochester, NY, USA.
Lasers Med Sci. 2011 Jan 28; ; . Epub 2011 Jan 28. [Epub ahead of print]    

Material und Methoden:
Eine Temperaturzunahme von mehr als 10°C kann die Knochenvitalität negativ (Hitzenekrose d. Knochens) beeinflussen. Laserstrahlung mit verschiedenen Wellenlängen wird auch für die Behandlung einer Periimplantitis verwendet, aber wenig ist über den Effekt der Laser-Bestrahlung auf  den Temperaturanstieg auf den Implantatoberflächen bekannt. In dieser Studie wurde die Temperatursteigerung (T), erzeugt durch Laser-Bestrahlung der Implantatoberfläche unter Verwendung zweier Diodenlaser (von 810 Nanometer (nm) und 980 Nanometer (nm)) mit 2W Energie, über zwei Thermoelemente (eins im zervikalen Bereich und eins apikal) gemessen und dokumentiert.

Resultate:
Der 810 Nanometer-Diodenlaser zeigte die folgenden Resultate: nach 60 s Bestrahlung mit 2W im Dauer-Modus betrug der Temperaturanstieg im zervikalen Bereich des Implantats (Tc) 37.2°C, während im er im apikalen Bereich (Ta) bei 27.2°C lag.
Der 980 Nanometer Diodenlaser zeigte die folgenden Ergebnisse: nach 60 s Bestrahlung mit 2W im Dauer-Modus betrug der Temperaturanstieg 41.1°C für Tc und 30.6°C für Ta. Der 810 nm Diodenlaser im 2W-Dauer-Modus erzeugte eine Temperaturzunahme von 10°C nach nur 14 Sekunden. Die 980 Nanometer-Diodenlasergruppe produzierten eine noch schnellere Temperaturzunahme. In nur 12 Sekunden im Dauermodus wurde in dieser Gruppe bereits ein Anstieg der Temperatur um 10°C erreicht.

Schlussfolgerung:
Aus der vorliegenden  In-Vitro-Studie kann gechlossen werden, dass die Bestrahlung der Implantatoberflächen mit Diodenlasern eine Temperaturzunahme über der kritischen Schwelle (10°C) nach nur 10 Sekunden produzieren kann.

Letzte Aktualisierung ( Freitag, 4. Februar 2011 )
 

 
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